Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引脚封装提供可靠且经济高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的独特组合。它适用于高温和恶劣操作，可实现最高效的简化和经济部署。MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可减少对栅极电路的寄生源电感效应，实现更快的切换和更高的效率。
低电容
优化了高电流时的切换行为
卓越的栅极氧化物可靠性
极佳的热行为
增强的耐雪崩能力
可与标准驱动程序一起使用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 59 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-TO247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.034 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5.7V |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
