Infineon 通孔安装 N 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，栅极源电压为 10V 时漏 - 源电阻为 190mohm。MOSFET 具有 20.7A 的连续漏极电流。它的最大栅极源电压为 20V ，漏极源电压为 600V。它的最大功耗为 71W。 MOSFET 的驱动电压为 10V。它经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
• 易于使用
•经过现场验证的 CoolMOS 质量
•高效率和功率密度
• 高可靠性
•低栅极电荷 (Qg)
•低特定通态电阻
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•卓越的的性能成本
•输出电容 (Eoss) 在 400V 时具有极低能量存储
•适配器
• PC 电源
•服务器电源
• 电信
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20.7 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 34.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 30 V |
| 宽度 | 4.85mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 87 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.65mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
