Infineon cool mos ce 适用于硬切换和软切换应用、作为现代超级接点、它可提供低传导和切换损耗、从而提高效率并最终降低功耗。600V 、 650V 和 700V cool mos ce 结合了最佳 r ds （ on ）和封装、适用于移动电话和平板电脑的低功率充电器。
缩小典型和最大 r ds （ on ）之间的边距
减少输出电容（ e oss ）中存储的能量
坚固的主体二极管、可减少反向恢复电荷 （ q rr ）
优化的集成 r g
低传导损耗
低切换损耗
适用于硬切换和软切换
易于控制的切换行为
提高效率、从而降低功耗
减少设计工作量
易于使用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 6.8 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | Pg 至 251 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
