Infineon IPDQ60R010S7 是 N 沟道功率 MOSFET ，可为低频切换应用提供最佳性能。MOSFET 经优化可用于静态切换和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计以及内部整流 inSMPS 和变频器拓扑。
最大限度地减少传导损耗
提高能效
更紧凑，更轻松的设计
采用固态设计，可消除或减少散热片
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | PG-HDSOP-22 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 22 |
| 最大漏源电阻值 | 0.01 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
