the Infineon coolmos ™ C7 超结 mosfet 系列是一款革命性的技术进步，可提供世界上最低的 rds （接通） / 封装，并得益于其低切换损耗，在整个负载范围内效率得到了提高。
革命性杰出的 r ds （ on ） /
减少输出电容（ eoss ）中存储的能量
降低栅极电荷 qg
通过使用更小的封装或减少部件、节省空间
12 年超结技术制造经验
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 28 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | Thinpak 8x8 |
| 引脚数目 | 5 |
| 最大漏源电阻值 | 70 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
