这款 N 通道 MV MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
屏蔽栅极 MOSFET 技术
VGS = 10 V、ID = 67 A 时，最大 RDS（接通）= 4.0 mΩ
VGS = 6 V、ID = 33 A 时，最大 RDS（接通）= 8.0 mΩ
比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
降低切换噪声/EMI
MSL1 坚固封装设计
应用：
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最终产品：
交流-直流和直流-直流电源
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 67 A |
| 最大漏源电压 | 120 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 106 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 6 V |
| 长度 | 5mm |
