Infineon 设计是一 7th 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，符合超接合（ sj ）原理，并由 Infineon 技术公司率先开发。
出色的 esd 稳定性 >2kV （ hbm ）、适用于所有产品
显著减少开关和传导损耗出色的 esd 稳定性 >2kV （ hbm ）、适用于所有产品
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 76 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | Pg 至 247-4-3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.037. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
