the Infineon 600V cool mos P7 超接点（ sj ） mosfet 是 600V cool mos P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求与易用性。cool mos 7th 系列平台的杰出 r onxa 和固有的低栅极电荷（ q g ）可确保其高效率。

600V P7 可实现出色的 fom rds （接通） xeoss 和 rds （接通） xq
≥ 2kV 的 esd 坚固性（ hbm 2 类）
集成栅极电阻器电阻器
坚固的体二极管
广泛的产品组合、采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
出色的 rds （接通） xqg / rds （接通） xeoss 可实现更高的效率
通过阻止 esd 故障的发生、在制造环境中易于使用
集成式设计可降低 mosfet 振荡灵敏度
mosfet 适用于硬开关和谐振开关拓扑 例如 pfc 和 llc
在所见车身二极管的硬换向期间具有出色的坚固 在 llc 拓扑中
适用于各种终端应用和输出 权力
提供适合消费和工业应用的部件