the Infineon ® T2 功率晶体管的最大漏极源电压为 60V 、 n 通道、汽车 mosfet 、采用 dak （ to-252 ）封装类型。
N 通道 - 增强模式
符合 aec Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 25 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.3. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
