Infineon P-Channel Power MOSFET 提供设计灵活性和易操作性,以满足最高性能要求,包括 -12V 系列产品,特别适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低电压驱动应用。
P 通道
超低导通电阻 RDS(on)
100% 通过崩溃测试
逻辑电平或正常电平
增强型
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 300 mA |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | SOT-23-3 |