Infineon 600V coolmos ™ C7 超结（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 coolmos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。
减小开关损耗参数，如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | Thinpak 8x8 |
| 引脚数目 | 5 |
| 最大漏源电阻值 | 65 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
