Infineon 20V 的一系列 40V - 0.6mΩ n 通道汽车认可功率 mosfet ,采用最新的最佳 mosfet 技术,并采用多种封装,可满足各种需求,并实现低至 Optimos5 40V μ m 的 rds (接通)。新的最佳 mosfet 技术可实现低传导损耗 (同类最佳的 rdson 性能)、低切换损耗(改进的切换行为)、改进的二极管恢复和 emc 行为。此 mosfet 技术采用最先进的创新封装、以实现最佳的产品性能和质量。为了实现终极设计灵活性、汽车合格的高电阻器提供各种封装、以满足各种需求。Infineon 为客户提供了电流容量、切换行为、可靠性、封装尺寸和整体质量等方面的稳定改进。新开发的集成半桥是一种创新且经济高效的封装解决方案、适用于电动机驱动和主体应用。
用于汽车应用的功率 mosfet
n 通道 - 增强模式 - 逻辑电平
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 90 A |
最大漏源电压 | 40 V |
封装类型 | PG-TDSON |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.0035 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 20V |
每片芯片元件数目 | 2 |