Infineon BSS138WH6327XTSA1 MOSFET
产品详细信息
英飞凌可实现 SIPMOS 小信号晶体管、N 沟道型、增强模式。该器件具有 dv /dt 等级和无铅镀层。它具有60 V的 Vds，Rds（接通）最大值是3.5 Ω，ID为0.28 A。它无卤、P 沟道型增强模式晶体管，广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。
100% 无铅
最大功耗为 360mW
| 属性 |
数值 |
| 通道类型 |
N |
| 最大连续漏极电流 |
280 mA |
| 最大漏源电压 |
60 V |
| 封装类型 |
SOT-323 |
| 安装类型 |
表面贴装 |
