Infineon 设计是一 C7 项革命性的高电压功率功率功率半导体技术，符合超级连接（ sj ）原理，由 Infineon 技术开创。600V cool mos ™ C7 系列结合了领先的 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。600V C7 是使用 rds （接通） * a 低于 1Ohm * mm² 的第一项技术。
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
出色的换向坚固性
符合 dec 标准、适用于标准级应用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | Pg 到 220 fullpak |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.18 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
