ON Semiconductor NTH4L022N120M3S 是 SiC 电源，单 N 通道 MOSFET。它采用 TO247-4L 封装。具有 1200 V 的漏极到源电压和 68 A 的连续漏极电流， NTH4L022N120M3S 可用于太阳能逆变器，电动车辆充电站， UPS (不间断电源) ，能量存储系统， SMPS (开关模式电源) 等应用。
此 mꭥ 的典型 RDS (接通) 为 22 m Ω ， VGS 为 18 V
该设备提供低切换损耗
它经过 100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 68 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | TO247-4L |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.03 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.4V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
