Infineon 提供了多种 p 沟道汽车功率 mosfet 、采用 dak 、 D2PAK 、 TO220 、 TO262 和 SO8 封装、技术为： tmosfet - P2 和 Gen5 。
P 通道 - 逻辑电平 - 增强模式
高压侧驱动无需充油泵。
简单的接口驱动电路
全球最低的 rdson 、 40V
最高电流容量
以最低开关和传导功率损耗实现最高热效率
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | PG-TO252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0041 o |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 0.3125V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
