ON Semiconductor UniFET II 高电压 MOSFET 基于 Advanced 平面磁条和 DMOS 技术。此 Advanced MOSFET 在平面 MOSFET 中具有最小的通态电阻，还提供卓越的切换性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正，平板显示屏，电视电源， ATX 和电子灯镇流器。
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
无铅−Ω
无卤素
符合 RoHS
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2 A |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 3. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 5.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
