ON Semiconductor iii mosfet−高电压超级−² c 结点（ sj ） mosfet 系列，利用电荷平衡技术，可实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。此先进 Advanced 技术可有效减少传导损耗、提供卓越的切换性能和耐受极端 dv/dt 速率。
超低栅极电荷
低有效输出电容 691 pve.
通过 100% 雪崩测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.067 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
