the Infineon 600V CoolMOS CFD7 n 通道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术，适用于高电压功率的高功率功率半导体，设计符合超结（ sj ）原理，并采用了 Infineon 技术。
超快主体二极管
低栅极电荷
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进的 mosfet 反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 稳定
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.125 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
