the Infineon ® 5 n 沟道功率 mosfet 。the Infineon ® 5150 v 功率的高功率功率功率功率半导体器件特别适合用于叉车和电动滑板车等低压驱动器，以及电信和太阳能应用。
极佳的栅极电荷 x RDS(on) 产品 (FOM)
极低接通电阻 rds （接通）
极低的反向恢复电荷（ qrr ）
175 °c 工作温度
无铅引线电镀
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 174 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | D2PAK 7pin （至 263 7pin ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0044. Ω |
| 最大栅阈值电压 | 4.6V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
