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Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET

订 货 号:IPB083N15N5LFATMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon ® 线性场效应管是一种革命性的方法、可避免通态电阻( r ds ( on ))与线性模式功能之间的取舍、即在增强型模式 mosfet 的饱和区域内运行。它提供最先进的沟道 mosfet r ds ( on )以及经典平面 mosfet 的宽安全工作区域。

低 r ds ( on )和宽安全工作区域的组合 ( soa )
高最大脉冲电流
高连续脉冲电流
坚固的线性模式操作
低传导损耗
更高的浪涌电流可实现更快的启动和更短的启动 时间


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 105 A
最大漏源电压 150 V
封装类型 Pg- TO263
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 0.0083 o
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.9V
每片芯片元件数目 2
暂无

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