Infineon OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET mΩ V ， 1.05 M Ω ， 330 A ，采用 SSO8 封装。Infineon 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V 采用 SuperSO8 封装 ISC010N06NM5 ，在 25˚C 和 175˚C 时提供低通态电阻 RDS ，以及高达 330 A 的高连续电流Infineon 的 OptiMOS ™ MOSFET 采用 SuperSO8 封装，扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品系列，不仅提高了坚固性，还能实现更高的功率密度，从而满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 Qrr 可显著降低过冲电压，从而最大程度减少对减震器电路的需求，从而降低工程成本和工作量，从而提高系统可靠性。

经优化可用于同步整流
通过 100% 雪崩测试
出色的耐热性能
N 通道
175°额定电流
无铅引线电镀 符合 RoHS
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
由于源互连扩大，焊接点可靠性更高