the Infineon 600V cool mos ™ CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术，集成了快速主体二极管，完善了 cool mos ™ 7 系列。cool mos ™ CFD7 的栅极电荷 (qg) 降低，关闭行为得到改善，反向恢复电荷 (qrr) 比竞争产品低 69% ，而且反向恢复时间也在市场上最低 (trr) 。
超快主体二极管
同类杰出的反向恢复充电（ qrr ）
改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性
最低 fom rds （接通） x qg 和 eoss
同类杰出的 rds （接通） / 封装
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
