英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 25 V 漏源电压（VDS）和 82 A 漏电流（ID）。提供基准解决方案，可在待机和全操作下实现最高功率密度和能效。它具有同类最佳的接通电阻，可广泛用于台式机和服务器、高功率密度电压调节器等。
经优化，用于高性能降压转换器
低接通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V
100% 雪崩测试
优异的热阻性
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
符合 IEC61249-2-21 标准无卤素
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 82 A |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | PG-TDSON |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
