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Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET

订 货 号:F411MR12W2M1B76BOMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon IGBT 模块 FET 类型为 4 个 N 通道(半桥),可在 1200V 漏源电压和 100A 连续漏极电流下工作。

底盘安装
-40°C 至 150°C 工作温度


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 1200 V
封装类型 AG-EASY1B-2
安装类型 螺丝安装
最大漏源电阻值 0.0113 Ω
最大栅阈值电压 5.55V
晶体管材料 SiC
暂无

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