当 N 沟道不适合您的设计时，P 沟道 MOSFET 将会特别适合您的设计，我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 沟道设备系列，基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V，采用中低功率封装，提供我们熟悉的高效率和高可靠性。
20 V，P 沟道 Trench MOSFET，P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力：Ptot = 980 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驱动器
电源管理
高侧负载开关
开关电路
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | -5.6 A |
| 最大漏源电压 | -20 V |
| 封装类型 | SOT23, TO-236AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 63 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | -0.95V |
| 最小栅阈值电压 | -0.45V |
| 最大功率耗散 | 4150 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 8 V |
| 长度 | 3mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14.7 nC @ 10 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
