ON Semiconductor−SUPERFET III MOSFET 是新的高电压−Ω 接点 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现卓越的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET FAST 系列有助于有效减少各种电源系统并提高系统效率。
经过 100% 雪崩测试
符合 RoHS
典型值 RDS (接通) = 32 mΩ m Ω
内部栅极电阻： 0.7 Ω
超低栅极电荷 (典型值 QG = 132 nC)
TJ = 150 oC 时为 700 V
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 62 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 最大漏源电阻值 | 0.04 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
