这款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先进 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
VGS = 10 V、ID = 222 A 时，最大 RDS（接通）= 2.3 mΩ
功率密度和屏蔽栅极
适用于极低 RDS（接通）的高性能通道技术
高功率密度，带屏蔽栅极技术
反向恢复电荷 Qrr 极低
低 Vds 尖峰内部阻尼函数。
栅极电荷 QG 低，为 108 nC（典型值）
低切换损耗
出色的电源和电流处理能力
低 Qrr/Trr
软恢复性能
适用于 ATX/服务器/工作站/电信 PSU/适配器和工业电源的同步整流。
电机驱动器和不间断电源
微型太阳能变频器
服务器
电信
计算（ATX、工作台、适配器、工业电源等）
电动机驱动器
不间断电源
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 222 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220F |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 108 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.36mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.9mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
