Infineon AIMW120R045M1XKSA1 专门设计用于满足汽车行业在可靠性，质量和性能方面的高要求。使用 CoolSiC ™ MOSFET 的转换器的切换频率的增加可显著降低磁性组件的体积和重量，降低高达 25% ，从而显著提高应用本身的成本。性能的提高满足了电动汽车更高效率要求方面的新法规标准。
革命性的半导体材料 - 碳化硅 极低的切换损耗
无阈值接通状态特性 IGBT 兼容驱动电压 (15 V 用于开启)
0V 关闭栅极电压
基准栅极阈值电压， VGS (th) = 4.5 V
完全可控制 dv/dt
换向坚固的主体二极管，可随时用于同步整流温度独立关闭开关损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 52 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | PG-TO247-3-41 |
| 安装类型 | 通孔 |
