低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 3.8 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 136 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.5mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 宽度 | 10.27mm |
| 长度 | 10.35mm |
