低 RDS（接通）和 Qg
快速体二极管
dv/dt 稳定
雪崩等级
低封装电感
国际标准封装
谐振模式电源
高强度放电 (HID) 灯镇流器
交流和直流电动机驱动器
直流 - 直流转换器
机器人和伺服控制
电池充电器
3 级太阳能逆变器
LED 照明
无人机 (UAV)
效率更高
高功率密度
安装简便
节省空间
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 60 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-268HV |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 52 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3.5V |
| 最大功率耗散 | 780 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 15.15mm |
| 长度 | 16.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 108 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
