超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。
TJ = 150 °C 时为 700 V
超低门电荷（典型值） QG =66 NC ）
低有效输出电容（典型 余弦 (EFF.)=569 pF)
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
优化的电容
典型值 RDS(on) =80 mΩ 较高的系统可靠性（在低温操作下）
低切换损耗
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
EV 充电器
太阳能/UPS
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 95 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 272 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 66 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
