英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 ThinPAK 8x8 封装，特别适合工业应用中的谐振拓扑，如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，相比竞品效率显著提高。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继承者，它的栅电荷更少、关闭行为得到改善、反向恢复电荷更少以及额外 50 V 击穿电压，可实现最高效率和功率密度。
相比竞品，显著降低切换损耗
额外安全余量，增加母线电压
工业 SMPS 应用中，全负载效率更高
高功率密度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | ThinPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
