Infineon OptiMOS 5 功率晶体管 N 沟道 MOSFET 具有 40V 漏极源击穿电压和 170A 连续漏极电流。此产品为需要正常电平 (更高阈值电压) 驱动能力的应用提供基准解决方案。正常电平产品组合中的高 Vth 可抗由于嘈杂环境导致的错误开启。此外，较低的 QGD/QGS 比率降低了栅极电压峰值的 Peak ，进一步提高了抗意外开启的稳定性。
电池供电应用
LV 电动机驱动器
极低接通电阻 RDS (接通)
通过 100% 雪崩测试
175°C 接点温度
出色的耐热性能
低栅极电荷
减少切换损耗
适用于在更高频率下工作
N 通道
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 170 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | TDSON-8 FL |
| 安装类型 | 表面贴装 |
