低接通电阻，快速切换速度，快速反向恢复，易于并行且易于驱动，无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247N |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 39.6 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5.6V |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 339 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 22 V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 长度 | 16mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 104 nC @ 18 V |
| 宽度 | 5mm |
