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Toshiba TK14G65W,RQ(S MOSFET

订 货 号：TK14G65W,RQ(S      品牌：东芝_Toshiba

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Toshiba TK14G65W,RQ(S MOSFET
产品详细信息

MOSFET 晶体管，Toshiba


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 13.7 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 250 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.5V
最小栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 130 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -30 V、+30 V
长度 10.35mm
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V
宽度 8.8mm
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
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