SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性
TJ = 150°C 时为 700 V
超低门电荷（典型值） QG =158 NC ）
低有效输出电容（典型 COSS (EFF.)=1366 pF ）
支持 PPAP
典型值 RDS (on) =32M Ω
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
支持 PPAP
应用
HV DC/DC 转换器
最终产品
板载充电器
DC/DC 转换器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 65 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 446 瓦 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 长度 | 15.87mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.82mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 153nc @ 10v |
