采用 TO-Leadless (TOLL) 封装的 Infineon n 沟道 power MOSFET IPT026N10N5 非常适合高开关频率。与 D2PAK 7pin 封装相比，可节省 60% 的空间，TOLL 是需要最高效率、出色的 EMI 性能以及最佳热性能和节省空间的完美解决方案。
非常适合高频开关和同步
出色的栅极电荷 x RDS（导通）产品（FOM）
超低导通电阻 RDS（导通）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 202 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | D2PAK |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
