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Toshiba TK20V60W MOSFET

订 货 号:TK20V60W      品牌:东芝_Toshiba

库存数量:10             品牌属性:进口

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公司基本资料信息







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Toshiba TK20V60W MOSFET
产品详细信息

应用
开关稳压器
特点
低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 0.16 Ω(典型值)
用于超级接线盒结构:DTMOS
易于控制的栅极切换
增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.79 mA)


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 DFN
安装类型 表面贴装
引脚数目 5
最大漏源电阻值 170 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.7V
最小栅阈值电压 2.7V
最大功率耗散 156 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±30 V
每片芯片元件数目 1
宽度 8mm
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
长度 8mm
暂无

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