N 通道 PowerTrench ® MOSFET 100V 、 80A 、 4.5m Ω
典型 RDS (on) =5.2 M Ω , VGS =10 V , ID =80 A
典型 QG (TOT) =31 常开, VGS = 10V , ID = 80A
UIS 能力
这些设备无铅
用于自动光学检测 (AOI) 的湿表法兰
应用
汽车发动机控制
传动系统管理
电磁阀和电动机驱动器
电子转向
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 80 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | DFN |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 6.4 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 214 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±20 V |
长度 | 5.1mm |
典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 6.3mm |
每片芯片元件数目 | 1 |