Infineon CoolSiC 1200 V、14 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封装，采用最先进的沟槽半导体工艺，是性能与可靠性的良好结合，包括在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和设备电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗。CoolSiC MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。

VDSS - T - 25°C 时为 1200 V
IDCC - T - 25°C 时为 127 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 时为 14 MΩ
非常低的切换损耗
短路耐受时间 3 微秒
基准门限电压，VGS（th） - 4.2 V
对寄生性开启的稳健性，可应用 0V 的关断门电压
用于硬换向的稳健体二极管
XT 互连技术实现了同类最佳的热性能