低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 28 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)
低泄漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)
增强模式：Vth = -0.8 至 -2.0 V（VDS = -10 V，ID = -0.1 mA）
应用：
电机驱动器
电源管理开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 15 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 48 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 29 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 7.18mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.6mm |
