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onsemi FCMT125N65S3 MOSFET

订 货 号:FCMT125N65S3      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:进口

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公司基本资料信息







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onsemi FCMT125N65S3 MOSFET
产品详细信息

TJ = 150 oC 时为 700 V
无引线超薄 SMD 封装
Kelvin 触点
超低栅极电荷(典型值 QG = 49 常闭)
低有效输出电容(典型值 Coss (有效) = 406 pF )
优化的电容
典型值 RDS (开) = 100 mΩ
内部栅极电阻:0.5 Ω
低温运行时系统可靠性更高
高功率密度
低栅噪声和开关损耗
低切换损耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
LED 照明
适配器


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 24 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 PQFN
安装类型 表面贴装
引脚数目 4
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最小栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 181 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±30 V
每片芯片元件数目 1
长度 8mm
宽度 8mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V
暂无

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