Infineon AIMW120R080M1XKSA1 MOSFET
产品详细信息
用于汽车系列的 Infineon CoolSiC MOSFET 专为混合动力和电动车辆中的当前和未来板载充电器和直流 - 直流应用而开发。它具有 33 A 漏极电流。
提高效率
启用更高频率
功率密度增加
降低冷却力
属性 |
数值 |
通道类型 |
N |
最大连续漏极电流 |
34 A |
最大漏源电压 |
1200 V |
封装类型 |
PG-TO247-3-41 |
安装类型 |
通孔 |
引脚数目 |
3 |
最大漏源电阻值 |
0.08 Ω |
通道模式 |
增强 |
最大栅阈值电压 |
4.5V |
晶体管材料 |
SiC |
每片芯片元件数目 |
1 |