SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常适合用于各种电源系统，以实现小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET® MOSFET 中主体二极管的反向恢复性能经过优化设计，无需额外器件，并能提高系统可靠性。
TJ = 150 °C 时为 700 V
低温运行时系统可靠性更高
超低栅极电荷（典型 Qg = 81 nC）
低切换损耗
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
低切换损耗
优化的电容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
典型 RDS（接通）= 70 mΩ
应用
电信
云系统
工业
电信电源
服务器电源
太阳能/UPS
EV 充电器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 313 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
