the Infineon 600V coolmos ™ CFD7 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™ CFD7 技术符合最高效率和可靠性标准,并进一步支持高功率密度解决方案。
超快主体二极管
低栅极电荷
同类杰出的反向恢复充电( qrr )
属性 | 数值 |
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通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 11 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | To - 220 fullpak |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 0.125 Ω |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |