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onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET

订 货 号:NTMFS6H818NT1G      品牌:安森美_Onsemi

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公司基本资料信息







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onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET
产品详细信息

汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。

特点
体积小巧 (5 x 6 mm)
低 RDS(接通)
低 QG 和电容

优点
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
应用
开关电源
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半
桥等)
48V 系统
电池管理和保护
最终产品
电动机控制
直流/直流转换器
负载开关
电池组和 ESS


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 123 A
最大漏源电压 80 V
封装类型 DFN
安装类型 表面贴装
引脚数目 5
最大漏源电阻值 3.7 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 3.8 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±20 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 46 nC @ 10 V
长度 5.1mm
最高工作温度 +175 °C
宽度 6.1mm
暂无

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