Taiwan Semiconductor 800V ， 3A ， 4。3Ω Ω ， 3 引脚， N 沟道功率 MOSFET 具有单晶体管配置和增强沟道模式。它通常用于电源和照明应用。
低 RDS (接通) 3.3Ω (典型值)
低栅极电荷典型值 @ 19nC (典型值)
低 CRSS 典型值 @ 10.2pF (典型值)
改进的 dv/dt 能力
工作温度范围 -55 °C 至 +150 °C
94W 最大功耗
栅极阈值电压范围为 2V-4V
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | TO-251 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 4.2. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 94 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 2.3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.5mm |
