Infineon 功率 mosfet 利用最新的处理技术，可实现每个硅片区域极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起、使此设计成为一款极其高效和可靠的设备、适用于汽车应用和各种其他应用。
先进 Advanced process technology
超低接通电阻快速切换
无铅，符合 RoHS 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.000175 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | 硅 |
