Taiwan Semiconductor n 通道功率 mosfet 晶体管表示“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。
低 rds （接通）可有效减少 低栅极电荷、用于快速电源切换 经过 100% uis 和 rg 测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续漏极电流 | 104 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PDFN56 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 5 米Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | 硅 |
